증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱2 증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱 목 차 [목적] [예비지식] [준비] [기기및부품] [실험] [피스파이스 파형] 본 문 증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱 [목적] 1) 포화 영역에서 동작하는 증가형 금속-산화물 반도체 전계-효과 트랜지스터(MOSFET) 의 단자 특성을 실험을 통해 이해한다. 2) 증가형 MOSFET를 포화 영역에서 안정하게 동작시키기 위한 바이어싱 회로를 실험을 통해 이해한다. [예비 지식] ◎ 증가형 MOSFET의 물리적인 구조와 회로 기호 ○물리적인 구조 그림 13.1에 -채널 증가형 MOSFET(약칭하여 NMOS)의 물리적 구조를 나타냈다. “증가형” 및 “-채널”이라는 이름의 의미는 곧 분명해질 것이다. 그림으로부터 알 수 있듯이, 이 트랜지스터는 형 기판(substrate) 위에 제조되는데, 여기서 .. 2009. 6. 5. 증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱 목 차 [실험목적] [예비지식] [실험준비] [기기및부품] [실험] [PSPICE 실험 결과] 본 문 13장 증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱 [실험 목적] 1. 포화 영역에서 동작하는 증가형 금속-산화물 반도체 전계-효과 트랜지스터(MOSFET) 의 단자 특성을 실험을 통해 이해한다. 2. 증가형 MOSFET를 포화 영역에서 안정하게 동작시키기 위한 바이어싱 회로를 실험을 통해 이해한다. [예비 지식] 1. 증가형 MOSFET의 물리적인 구조와 회로 기호 물리적인 구조 그림에 -채널 증가형 MOSFET(약칭하여 NMOS)의 물리적 구조를 나타냈다. “증가형” 및 “-채널”이라는 이름의 의미는 곧 분명해질 것이다. 그림으로부터 알 수 있듯이, 이 트랜지스터는 형 기판(substrate) 위에 제.. 2009. 6. 5. 728x90 이전 1 다음