증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱

목 차

[실험목적] [예비지식] [실험준비] [기기및부품] [실험] [PSPICE 실험 결과]

본 문

13장 증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱 [실험 목적] 1. 포화 영역에서 동작하는 증가형 금속-산화물 반도체 전계-효과 트랜지스터(MOSFET) 의 단자 특성을 실험을 통해 이해한다. 2. 증가형 MOSFET를 포화 영역에서 안정하게 동작시키기 위한 바이어싱 회로를 실험을 통해 이해한다. [예비 지식] 1. 증가형 MOSFET의 물리적인 구조와 회로 기호 물리적인 구조 그림에 -채널 증가형 MOSFET(약칭하여 NMOS)의 물리적 구조를 나타냈다. “증가형” 및 “-채널”이라는 이름의 의미는 곧 분명해질 것이다. 그림으로부터 알 수 있듯이, 이 트랜지스터는 형 기판(substrate) 위에 제조되는데, 여기서 형 기판은 소자(집적 회로인 경우에는 모든 회로)의 지지대 역할을 하는 단결정 실리콘 웨이퍼이다. 그림에 소스(source)와 드레인(drain) 영역으로 표시되어 있듯이, 고농도로 도핑된 두 개의 영역이 기판에 만들어져 있다. 이 기판의 표면 위에 전기적인 절연 특성이 양호한 얇은(약 에서 ) 이산화 실리콘() 층이 성장되어 있으며, 이 층이 소스와 드레인 영역 사이의 면적을 덮고 있다. 이 산화층 위에 금속이 증착되어 소자의 게이트 전극(gate electrode)을 형성하고 있다. 금속 접촉은 또한 소스, 드레인, 그리고 기판에도 만들어져 있다. 따라서, 네 개의 단자 즉 게이트 단자(G), 소스 단자(S), 드레인 단자(D) 및 기판 또는 몸체 단자(B)가 그림에 나타내어져 있다.

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